Model 920D Scanning Electrochemical Microscope

掃描電化學顯微鏡 (SECM) 於 19891 年推出，作為一種可以在界面附近以高分辨率檢查化學的儀器。通過檢測小電極（尖端）在靠近表面進行掃描時發生的反應，SECM 可用於獲得表面的化學反應性圖像和反應速率的定量測量。世界各地的許多實驗室現已報告了對 SECM 的大量研究，該儀器已用於廣泛的應用，包括腐蝕、生物系統（例如酶、皮膚、樹葉）、膜的研究, 和液/液界面。2,3 用 SECM 捕獲和電化學檢測單分子也有報導。

CHI920D 掃描電化學顯微鏡由數字函數發生器、雙恆電位儀、高分辨率數據採集電路、三維納米定位器以及樣品和細胞支架組成。 SECM 和样品池/樣品架的示意圖如下所示。三維納米定位器的空間分辨率低至納米，但它允許的最大行進距離為 50 毫米。雙恆電位儀的電位控制範圍為±10 V，電流範圍為±250 mA。該儀器能夠測量低至亞皮安的電流。

除了 SECM 成像之外，其他操作模式也可用於掃描探頭應用：探頭掃描曲線、探頭接近曲線、表面詢問 SECM 和表面圖案調節。探針掃描曲線模式允許探針在 X、Y 或 Z 方向移動，同時控制探針和基板電位並測量電流。當電流達到指定水平時，可以停止探頭。這對於搜索表面上的對象和確定接近曲線特別有用。探針接近曲線模式允許探針接近基板表面。它對於使用 PID 控制來區分錶面過程也非常有用。步長自動調整以允許快速接近表面，而無需讓探頭接觸表面。表面圖案調節允許用戶通過在兩個不同的電位和持續時間控制尖端來編輯表面調節圖案。恆定高度、恆定電流、電位和阻抗模式可用於 SECM 成像和探頭掃描曲線。

920D 可以做 760E 可以做的所有事情，甚至更多。 920D 專為掃描電化學顯微鏡而設計，但為方便起見，還集成了許多常規電化學技術，例如 CV、LSV、CA、CC、DPV、NPV、SWV、ACV、SHACV、FTACV、it、DPA、DDPA、TPA 、SSF、STEP、IMP、IMPE、IMPT 和 CP。儀器作為雙恆電位儀使用時，可將第二通道控制在獨立的恆電位，與第一通道同電位掃描或步進，或與第一通道以恆電位差進行掃描。第二個通道適用於 CV、LSV、CA、DPV、NPV、DNPV、SWV 和 i-t。

920D SECM 是對 900 系列 SECM 的最新升級。 920D 使用步進電機定位器和閉環 3 維壓電定位器。步進電機定位器的分辨率為 8 納米，行程為 50 毫米。閉環壓電控制可提高壓電器件的線性度並減少滯後。改進包括非常穩定和準確的電位和電流控制，以及高速雙通道數據採集（1 MHz，16 位分辨率）。

 

掃描探針技術
    ˙SECM 成像 (SECM)：恆定高度、恆定電流、電位和阻抗模式
    ˙探頭接近曲線 (PAC)
    ˙探頭掃描曲線 (PSC)：恆定高度、恆定電流、電位和阻抗模式
    ˙表面圖案處理 (SPC)
    ˙表面集成 SECM (SISECM)
掃描技術
    ˙循環伏安法 (CV)
    ˙線性掃描伏安法 (LSV)
    ˙塔菲爾圖 (TAFEL)
步進和脈衝技術
    ˙階梯伏安法 (SCV)
    ˙計時電流法 (CA)
    ˙計時庫侖法 (CC)
    ˙差分脈衝伏安法 (DPV)
    ˙正常脈衝伏安法 (NPV)
    ˙差分正常脈衝伏安法 (DNPV)
    ˙方波伏安法 (SWV)
交流技術
    ˙交流伏安法 (ACV)
    ˙二次諧波交流伏安法 (SHACV)
      ˙交流阻抗 (IMP)
    ˙阻抗與電位 (IMPE)
    ˙阻抗與時間 (IMPT)
恆電流技術
    ˙計時電位法 (CP)
    ˙電流斜坡計時電位法 (CPCR)
    ˙多電流步驟 (ISTEP)
    ˙電位剝離分析 (PSA)
其他技術
    ˙電流 i-t 曲線 (i-t)
    ˙差分脈衝電流法 (DPA)
    ˙雙差分脈衝電流法 (DDPA)
    ˙三脈衝電流法 (TPA)
    ˙集成脈衝電流檢測 (IPAD)
    ˙用電量法進行本體電解 (BE)
    ˙流體動力學調製伏安法 (HMV)
    ˙掃描步長函數 (SSF)
    ˙多電位步驟 (STEP)
    ˙電化學噪聲測量 (ECN)
    ˙開路電位 - 時間 (OCPT)
    ˙各種溶出伏安法
    ˙電位法